利用半导体量子点的高效太阳电池

摘要：

@@ 1 前言第三代太阳电池的开发
太阳电池,主要是由做在半导体基片上的pn结组成.如图1所示若在pn结处射入太阳光,则在半导体内部激发出电子-空穴对,在内部电场作用下,电子向n侧.空穴向p侧迅速流动,产生光生电功率.现在广泛使用的是厚度200～350μm的单晶硅,及用铸造法制作的多晶硅太阳电池.最近为了降低硅太阳电池的制造成本,开发了薄膜太阳电池.在薄膜太阳电池的情形下由于光吸收层的厚度仅为0.2～3μm左右,使用的材料大大减少.现在还在开发非晶硅、微结晶硅、CdTe、Cu(InGa)、Se2(CIGS)等太阳电池.

机标关键词：半导体量子点、太阳电池

分类号：TK51(特殊热能及其机械)

在线出版日期：2005-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41