D-T脉冲中子发生器随钻中子孔隙度测井的蒙特卡罗模拟

摘要：

利用蒙特卡罗方法模拟研究了D-T脉冲中子发生器和241Am-Be中子源产生的中子与地层的作用过程,以探讨D-T脉冲中子发生器在随钻中子孔隙度测井中的应用价值.模拟结果显示,使用这两种中子源,热中子计数均随源距增加而呈指数下降;孔隙度较小时,两者的计数差异较小,当地层孔隙度达到40%时,D-T脉冲中子发生器产生的热中子和超热中子计数均比241Am-Be中子源高很多,其分布范围也更宽,近探测器的源距选择20～30 cm,远探测器的源距选择约60～70 cm;D-T脉冲中子发生器用于中子孔隙度测井时对地层孔隙度的灵敏度降低,而相同源距条件下探测深度几乎不变.以上结果提示,利用D-T脉冲中子发生器可以进行补偿中子孔隙度测井,在增加源距的同时既可以保证计数统计性,又可以提高灵敏度和探测深度,在随钻测井仪器设计中可以取代241Am-Be中子源.

关键词：D-T脉冲中子发生器、241Am-Be 中子源、随钻测井、中子孔隙度测井、蒙特卡罗模拟

所属期刊栏目：23

分类号：P631.8;TL816

资助基金：国家自然科学基金资助项目40874065

在线出版日期：2010-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：15-21