半导体器件在辐射作用下的电学输出性能

摘要：

半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件.本工作采用加速器产生的不同能量电子束和63Ni源的β射线对硅基PiN结型器件进行辐照,在线测量了其电学输出性能.结果表明,当电子束能量为18 keV时,能量转换效率＞4%;电子束能量为6 keV时,能量转换效率为0.16%～0.33%,活度为2.96×108Bq的63Ni源片辐照的能量转换效率约为0.1%.

关键词：辐射伏特效应同位素电池、半导体器件、能量转换效率

所属期刊栏目：21

分类号：TM910.2

资助基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金资助2007A02001

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：198-203