载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响

摘要：

采用多量子阱载流子动力学模型,研究载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响.随着温度的升高,多量子阱中的载流子被热激发到势垒层中,一部分载流子会被基态能量更低的量子阱再俘获,即载流子在不同的量子阱之间发生了热迁移.研究表明:在不同温度下,量子阱发光强度比依赖于量子阱的激活能；发光强度比的峰值温度主要由深量子阱的激活能决定;峰值大小则取决于两阱的激活能之差.

关键词：多量子阱、发光强度比、热激发、再俘获

所属期刊栏目：23

分类号：O472.3(半导体物理学)

在线出版日期：2013-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53