平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展

摘要：

随着新能源应用的需求，直流变换器不断向小型化、高功率密度、低压大电流方向发展，作为直流变换器关键器件的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，不断创新优化结构，获得更低导通电阻、更高开关速度，从而推动了与互补金属氧化物半导体制造工艺兼容的平面栅技术功率器件的发展。文章探讨了平面栅功率器件的研究进展，包括屏蔽沟道、肖特基势垒结等结构。

关键词：平面栅技术、导通电阻、开关损耗、屏蔽沟道场效应晶体管

所属期刊栏目：22

分类号：TN386.3(半导体技术)

资助基金：基金项目:天津市高等学校科技发展基金项目20070711

在线出版日期：2013-02-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20