快中子辐照直拉硅中V2的退火研究

摘要：

利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究.实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V3O与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃.

关键词：快中子辐照、辐照缺陷、双空位、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、正电子湮没技术(PAS)

所属期刊栏目：18

分类号：TB34;TB321(工程材料学)

资助基金：天津工程师范学院科研发展基金项目KJ0817

在线出版日期：2008-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：44-46