激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用综述

摘要：

综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用.指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术,不能适应纳米超浅源、漏结的制备及其原因,分析了激光的独特优点以及用于超浅结形成的可行性.纳米超浅结要求结深和杂质分布精确可控,结电阻要尽可能低.着重强调了激光能量密度、脉冲宽度、作用时间等工艺参数与结深、杂质布以及结电阻之间的密切关联.

关键词：激光退火、激光掺杂、集成电路、纳米尺度、超浅结

所属期刊栏目：16

分类号：TN305.3;TN305.4;TN249(半导体技术)

资助基金：天津市高等学校科技发展基金JW20051201

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23