短脉冲紫外激光辐照下硅材料表面剥离过程研究

摘要：

利用紫外激光对硅材料进行加工时需要估算硅材料表面剥离深度、温度分布与入射光功率密度的关系.激光与硅材料相互作用涉及多种复杂的物理现象,直接利用现有理论进行计算,确定相应的温度分布和剥离深度十分困难.文章探讨了在不同功率密度范围内,根据激光与物质相互作用主要形式的不同,建立相应的估算方法.实践证明,在一定功率密度范围内,估算值较好地符合了实验测定数据.

关键词：紫外激光、硅材料、等离子体吸收、二次辐射

所属期刊栏目：15

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2006-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-10,21