基于RTP热处理的Bi/Te多层膜的热电性能

摘要：

为改善薄膜热电材料的热电性能,通过磁控溅射制备多层Bi/Te薄膜材料,并用常压高温环境对样品进行快速热退火(RTP),以期在较短时间内获得更高的热电参数.结果表明:Seebeck系数与功率因数最大值与退火温度呈正相关,在400℃退火2~11min,Seebeck系数极大值为-190.41μV/K,功率因数最大值为8.28 μW/(K2·m);随着退火温度的升高,Seebeck系数、载流子浓度、载流子迁移率、电导率和功率因数的振荡幅度也随之加大,并且载流子浓度与Seebeck系数呈反比关系,与电导率呈正比关系,这说明通过改变材料结构和高温快速退火可以得到较高的热电参数,同时保证薄膜的完整性.

关键词：Bi/Te多层薄膜、Seebeck系数、RTP、磁控溅射

所属期刊栏目：36

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11404239;天津市自然科学基金资助项目15JCQNJC41800

在线出版日期：2017-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：68-73