聚噻吩衍生物的合成及光电性质研究

摘要：

通过化学氧化聚合法合成了3种聚噻吩衍生物,并通过测定紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、光致发光光谱以及循环伏安曲线对3种聚合物的光电性质进行了表征,确定其光学性质、带隙及HOMO/LUMO轨道能量.结果表明,在噻吩环3-位引入长链取代基可提高聚合物最大吸收波长λmax,降低聚合物带隙.

关键词：聚噻吩、光电性质、禁带宽度、化学氧化法

所属期刊栏目：32

分类号：TQ031.2(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金资助项目21176193

在线出版日期：2013-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：54-56