不同侵蚀条件下水泥基材料碳硫硅钙石生成速度比较

摘要：

通过观察水泥净浆试件在电脉冲和常规浸泡条件下不同龄期的外观变化,并结合扫描电镜(SEM/EDS)、X射线衍射、红外光谱(FTIR)分析侵蚀产物的组成,对试件遭受硫酸盐侵蚀后碳硫硅钙石的生成速度进行了比较.结果表明:电脉冲明显加速了水泥基材料中碳硫硅钙石的生成速度.在电脉冲作用90～120天时试件内部有一个生成碳硫硅钙石的准备期,作用120天后侵蚀产物中出现大量的碳硫硅钙石;常规浸泡1年后,试件内部只检测到生成碳硫硅钙石所需的中间体,并无大量碳硫硅钙石生成.

关键词：水泥基材料、电脉冲、硫酸盐侵蚀、碳硫硅钙石、常规浸泡

所属期刊栏目：43

分类号：TU528(建筑材料)

资助基金：重庆市自然科学基金cstcjcyja30004

在线出版日期：2015-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：748-753