10.3321/j.issn:0253-374X.2008.01.013
共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟
从多种离子反应平衡角度,对氨法共沉淀过程进行了理论分析,并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法.对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的只能与OH-络合的金属离子(B类离子)的单体沉淀、共沉淀,以及A类(既能与NH3也能与OH-络合的金属离子)、B类离子的共沉淀进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系.
ZnO压敏电阻、共沉淀、数学模拟
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TB44;TB381(工业通用技术与设备)
2008-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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