基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路

摘要：

基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对 Cherry-Hooper 结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,fF 的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,dB,-3,dB 带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/ Hz,芯片核心面积为720,μm×700,μm.

关键词：光接收机、跨阻放大器、改进型Cherry-Hooper、直流偏移消除电路、锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体

所属期刊栏目：51

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61474081.Supported by the National Nature Science Foundation of China,61474081

在线出版日期：2018-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：57-63