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10.11784/tdxbz201210020

电阻层析成像有限元模型优化

引用
为了提高电阻层析成像正问题计算精度,以有限元模型次最外层半径为变量,以敏感场均匀分布时模型均方根值的倒数为适应度函数,利用求解低维多峰值函数优化问题的改进遗传算法,优化模拟敏感场内电流线分布密度与分布形式的新型拓扑结构有限元模型,最后以各峰值点对应的中心流模型均方根值为误差函数,选择新型拓扑结构有限元模型次最外层半径的最优值.仿真实验结果表明,相同实验条件下,相比优化前新型拓扑结构有限元模型、传统按等间隔原理剖分的有限元模型及其改进模型,优化后有限元模型在敏感场均匀分布时模型均方根值分别降低了32.0025%、83.3958%和44.7605%,有效提高了电阻层析成像正问题计算精度与图像重建质量.

电阻层析成像、正问题、有限元模型、遗传算法、图像重建

TK39(热工量测和热工自动控制)

国家自然科学基金资助项目50937005;徐州市科技计划资助项目XM12B078;国家自然科学基金青年科学基金资助项目61201350,61302122;江苏省“青蓝工程”资助项目;江苏省高校自然科学研究资助项目12KJD120002,12KJD510013,13KJD510007

2014-03-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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