单氧化限制垂直腔面发射激光器的阈值

摘要：

使用有限差分和模式跟踪方法对垂直腔面发射激光器(VCSELs)中光、电、热场耦合方程自洽数值求解,设计了其阈低值结构.给出了限制电流孔径分别为1 μm、2 μm、3 pm和6 μm的阈值电流密度、载流子密度、基模光场和热场的空间分布,得到了单氧化限制VCSELs中注入阂值电流随限制孔径变化曲线.结果表明,在2～6 μm范围内与实验结果达到一致,并且单氧化限制VCSELs中过大和过小的电流限制孔径都不利于降低激光器闽值,进而发现了最佳电流限制半径及最小阈值电流.

关键词：激光器、单氧化限制垂直腔面发射激光器、自洽、阈值

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分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20070080001;河北省自然科学基金资助项目F2007000096

在线出版日期：2012-02-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：450-453