低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现

摘要：

基于SMIC 0.18 μm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构.通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流.所设计像素尺寸为3.6μm×3.6 μm,并将其应用于一款648×488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42 dB,在25 ℃下表面暗电流为25 mV/s(转换成电压表示的).所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流.

关键词：CMOS图像传感器、四管像素、随机噪声、暗电流

所属期刊栏目：42

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60576025;天津市科技创新专项基金资助项目05FZZDGX00200

在线出版日期：2009-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：149-152