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10.3969/j.issn.0493-2137.2006.12.019

退火条件对氧化钒薄膜微观结构的影响

引用
采用直流对向靶磁控溅射的方法在SiO2/Si衬底上制备了具有(001)择优取向的V2O5薄膜,利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和四探针测试方法对退火前后薄膜的表面形貌、物相组分和电阻温度系数进行了测量.结果表明:200 ℃衬底温度下溅射得到的薄膜为多晶V2O5,膜表面颗粒呈细长针状,经700 ℃、1 h退火后,薄膜中VO2相成分增多,颗粒变为长方形柱状;退火后薄膜的电阻温度系数达到-3.2%/K,与薄膜的微结构和物相组分有很大关系;3 h退火后,得到高纯度的V2O5薄膜.

氧化钒薄膜、微观结构、直流磁控溅射、择优取向

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O484(固体物理学)

天津市自然科学基金043600811

2007-01-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1495-1498

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0493-2137

12-1127/N

39

2006,39(12)

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