平面型共振隧穿二极管和其组成MOBILE

摘要：

为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钴蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的.研究了它的I-V特性,测得的峰谷电流比为3.4.研究了由平面型共振隧穿二极管构成的单双稳态逻辑单元,实现了作为反相器的功能.

关键词：平面型共振隧穿二极管、离子注入、峰谷电流比

所属期刊栏目：39

分类号：TN312.2(半导体技术)

资助基金：超高速专用集成电路重点实验室基金51432010204JW1401

在线出版日期：2007-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1360-1363