SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

摘要：

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能.对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGe SOI BMHMT 由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管,使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高.

关键词：SiGe合金、SOI MOSFET、动态阈值电压、横向双极晶体管

所属期刊栏目：35

分类号：TN323(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金6983602

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：682-685