10.13899/j.cnki.szptxb.2016.03.009
物理气相沉积过程中金属基片控温系统的研制
研制了一套在物理气相沉积过程中的金属基片控温装置,该装置通过接触导热的方式,可将基片温度在20~350℃之间任意可调,控温误差低于10℃.降温时,通过样品台内循环流动的低温冷却水带走多余的热量,使温度迅速下降;加热时,利用惰性气体排空样品台内冷却水后,通过红热加热管使基片快速升温.实测结果表明,金属基片表面的最大升温速度和降温速度均达到了3℃/s,样品台和金属基片表面温度具有较好的一致性.
基片控温、真空装置、物理气相沉积
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TB43;TB657.5(工业通用技术与设备)
国家自然科学基金项目No.51401128;深圳市科技计划项目No.JCYJ20140508155916426;广东高校自动化仪表与装置工程技术开发中心资助项目2012gczxB004
2016-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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