辐照对MOS结构氧化硅薄膜可靠性的影响

摘要：

研究了经γ射线辐照后MOS结构的SiO2薄膜中可动离子的能量状态和数量变化.结果表明,辐照后SiO2膜中可动离子的最可机陷阱能量下降,离子总量大大减少.利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对实验结果进行了分析与计算,理论与实验吻合较好.

关键词：可动离子、最可几陷阱能量、增强离子发射、中性化

所属期刊栏目：4

分类号：TP309(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2005-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-22