低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究

摘要：

为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量，提出了低温锗量子点缓冲层技术，分析了该技术在应变弛豫的促进，表面形貌的改善，位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术，利用超高真空化学气相淀积系统，在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28，厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底，应变弛豫度达到99%，表面没有Cross-hatch形貌，表面粗糙度小于2 nm，位错密度低于105 cm-2。

关键词：硅锗弛豫衬底、低温锗量子点缓冲层、生长

分类号：TM23(电工材料)

资助基金：深圳市科技计划项目JCYJ20120821162230170;广东省高等学校优秀青年教师项目Yq2014123

在线出版日期：2015-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：5-10