UHV／CVD生长SiGe／Si材料分析及应用研究

摘要：

以Si2H6和GeH4为生长气源，采用UHV／CVD系统在Si（100）衬底上生长了Sil—xGex合金和Sil—xGex／Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加，比例因子为2．57。生长的Si0．88Ge0．12合金样品的界面清晰，表面平整，平均粗糙度仅为0．4nm，位错密度低于104／cm2。六周期Si0．88Ge0．12／Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe／Si多量子阱均具有很好的晶体质量。

关键词：SiGe合金、SiGe/Si多量子阱、外延生长、UHV/CVD

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：深圳信息职业技术学院科研基金资助YB201003

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32