MOS-FET与电子管OTL功放的制作
@@ 由日本山崎浩氏撰写的MOS-FET OTL功放,电路简洁,性能卓越,频响宽阔,其音色可与4HB5电子管OTL功放相媲美.外形图见题图,电路见图1.
电子管、功放、电路、外形图、音色、性能、日本
TN4;TN7
2005-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
65-67
电子管、功放、电路、外形图、音色、性能、日本
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2005-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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