基于多步相移拟合的显微红外光弹系统研制
半导体电子器件的内部应力信息对于分析器件失效和材料破坏十分重要.红外光弹可能成为半导体材料与器件内部应力实验分析的有效手段.本文面向半导体材料与器件内部应力的定量表征,以近红外激光为光源,围绕多步相移拟合图像分析方法,通过选择分析核心部件和开发自动控制装置,研制了显微红外光弹系统.本文将该系统用于表征硅材料的内部应力场,并将分析结果与理论值和六步相移法计算结果进行对比,验证了所研制系统的可靠性,并展示了基于多步相移配合拟合识别的图像分析方法,相比已有技术对于分析因应力小或样品薄导致无整数级条纹出现的光弹图像具有较高的分析精度.
红外光弹、半导体、内部应力、多步相移拟合、仪器研制
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O348.1(固体力学)
国家自然科学基金11827802
2022-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
143-151