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10.3969/j.issn.1002-4956.2015.06.014

氩离子入射角度对坡莫合金刻蚀速率影响研究

引用
利用磁控溅射法在单晶硅基底上制备了200 nm厚的坡莫合金薄膜,然后利用能量为500 eV、束流密度为1 mA/cm2的氩离子束分别以不同的入射角度对薄膜进行刻蚀.采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、多品X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对沉积薄膜的成分、晶体结构和微观形貌进行了测试和分析.利用探针式表面轮廓分析仪测量研究坡莫合金(Ni81Fe19)薄膜刻蚀速率与离子入射角度的关系.实验结果发现:随着氩离子束入射角度变大,坡莫合金薄膜的刻蚀速率逐渐变大;当氩离子束入射角度为50°时,刻蚀速率达到最大值(60 nm/min);随着氩离子束入射角度进一步增大到80°,刻蚀速率迅速降低到极小值.

坡莫合金、离子束、刻蚀速率、入射角影响

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TB383;TN405.98(工程材料学)

国家自然科学基金项目51202102;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题MMM2014014;高等学校仪器设备和优质资源共享系统项目管理中心项目CERS-1-89的经费支持

2015-07-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1002-4956

11-2034/T

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2015,32(6)

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