磁阻效应实验的设计

摘要：

锑化铟既作霍尔元件测量了磁感应强度,又作磁敏电阻研究了其阻值随磁场的变化规律.不仅揭示了霍尔效应和磁阻效应在半导体内同时存在的事实,使产生2种物理现象的微观本质表现得更为突出,而且还消除了由于使用其他方法测量磁感应强度时,被测点与锑化铟所处位置不同而造成的系统误差.

关键词：磁阻效应、磁敏电阻、霍尔效应、霍尔元件、磁感应强度

所属期刊栏目：23

分类号：O482.5(固体物理学)

资助基金：教育部科学技术研究项目Y2003A01

在线出版日期：2006-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-22,34