一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计

摘要：

为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 mV电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 pF,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.

关键词：模拟集成电路、CMOSAB类放大器、转换速率、低电压、低功耗、单位增益频率、相位裕度、电阻负载

所属期刊栏目：39

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江西省教育厅科学技术研究项目151503,151496

在线出版日期：2017-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：680-685