Mg掺杂对NiO基薄膜能带调控作用

摘要：

NiO是一种新型的宽禁带半导体材料,其带隙宽度为3.6～4.0 eV,在紫外探测等领域具有广泛应用.为了研究元素掺杂对 NiO 薄膜能带的调节作用,首先采用 Material Studio 软件构建了不同 Mg 掺杂量的NixMg1-xO材料,然后采用Castep等相关模块对这些材料的能带、态密度、光学特性等进行了模拟和分析.另外,采用共溅射法通过固定MgO靶溅射功率、调整NiO靶溅射功率制备了不同Mg掺杂量的NixMg1-xO薄膜,发现模拟结果和实验结果规律一致.随着Mg掺杂量的增加,NixMg1-xO薄膜的带隙增加,说明Mg掺杂对NiO薄膜的能带调节作用明显,这为制备更短波长的NiO基薄膜材料和器件奠定了理论和技术基础.

关键词：NiO薄膜、Mg掺杂、能带、磁控溅射、光学

所属期刊栏目：44

分类号：TB383.2(工程材料学)

资助基金：吉林省科技发展计划项目;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：11-17