10.16862/j.cnki.issn1674-3873.2016.03.007
硅锗光子晶体复合电极对非晶硅电池性能的影响
采用离子液体电沉积法辅助胶体晶体模板法在非晶硅电池板的ZnO:B表面构筑硅锗光子晶体,制备出ZnO/SiGe-PCs/Ag( ZnO/SiGe Photonic Crystals/Ag)复合背电极,并研究了ZnO/SiGe-PC/Ag复合背电极与ZnO/Al背电极的非晶硅电池的光电性能。实验结果表明,基于ZnO/SiGe-PCs/Ag复合结构背电极能够提高非晶硅太阳能电池的外量子效率和短路电流密度;并且,随着硅锗光子晶体孔径的增加,电池的效率明显增加。这种新型的光子晶体复合电极结构,对于改善非晶硅叠层电池的光电效率和光电流匹配问题提供一种新途径。
光子晶体、非晶硅电池、复合电极、外量子效率
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O433(光学)
国家自然科学基金项目61275047;教育部科学技术研究项目213009A;中国博士后科学基金项目2012M510868;吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目吉教科合字[2014]第149号
2016-08-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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