铜溅射时间对Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响

摘要：

采用磁控溅射方法制备铜溅射时间分别为1.5h和2h的Cu/Sn/ZnS前驱体薄膜,然后利用双温区高温管式炉对两种薄膜进行硫化处理制备Cu2ZnSnS4.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、能谱分析仪和紫外—可见分光光度计对薄膜的结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征.结果表明:溅射1.5h的Cu制备的薄膜表面存在大量杂质,表面很不平整;溅射2h的Cu的薄膜表面呈现均匀致密的颗粒状薄膜,且具有更大的晶粒尺寸;溅射2h的Cu的薄膜为单一CZTS相,其化学成分原子比更接近Cu2ZnSnS4化学计量比.

关键词：Cu2ZnSnS4、磁控溅射、薄膜、硫化

所属期刊栏目：37

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目2014-485

在线出版日期：2016-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15