一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计

摘要：

硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成,其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取,设计了一种方案并进行了实验验证,得出所设计的压力传感器精度达到0.1%～0.25% F.S.

关键词：压阻式压力传感器、力敏电阻、芯片设计

所属期刊栏目：32

分类号：TP212(自动化技术及设备)

资助基金：安徽省2010年科技计划项目10080703003;安徽省教育厅自然科学研究重点项目KJ2008A059

在线出版日期：2011-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：133-136