微控制器DPI测量的电磁传导抗扰度特性模型

摘要：

提出1种描述微控制器直接功率注入(direct power injection,DPI)测量电磁传导抗扰度特性的模型.该模型在国际已有模型的基础上,在PDN模块中增加了内核网络、PLL,A/D网络等模型,能更精确的反映PDN的物理情况,同时能实现集成电路电磁兼容模型的标准化建模.最后,在不同频率的射频电磁干扰下对微控制器被测I/O端口抗扰度进行仿真分析,并与测量结果对比,结果表明在500 MHz以下,模型预测抗扰度的不确定度在允许范围内.该模型应用于PCB级别,可精确仿真PCB板的电磁兼容情况,仿真精度远高于使用IBIS模型.

关键词：电磁抗扰度、电磁兼容特性、微控制器、直接功率注入测量

所属期刊栏目：12

分类号：TN401(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国际科技合作计划2007DFA71250;华北电力大学青年博士基金20062250

在线出版日期：2011-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：80-85