碳化硅电力电子器件发展及其应用研究

摘要：

碳化硅（Sic）作为第三代半导体材料，具有宽禁带、击穿电场强度高、载流子饱和漂移速度高以及热导率高等优点，可以实现更高电压、更高电流和更高工作温度的新型电力电子器件，是未来电力电子器件发展的一个重要趋势。本文对比了Sic与Si材料的性能，研究了Sic二极管、Sic功率MOSFET、Sic IGBT等新型电力电子器件的优势及特点，介绍了一种Sic MOSFET的驱动电路，对Sic器件在光伏发电和特高压直流输电领域的应用进行了探讨。

关键词：碳化硅电力电子器件、光伏发电、高压直流输电

分类号：TN304.2;TP17;TM721.1

在线出版日期：2014-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：181-182