美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜

摘要：

据物理学家组织网报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子柬光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。此次制成的无缺陷薄膜的导电率约为传统方法制成的有裂缝薄膜的180倍。科学家称，这一制造方法还能应用于硅表面，制成30纳米宽的薄膜。

关键词：晶体薄膜、过程开发、无缺陷、半导体、纳米、美国麻省理工学院、物理学家、光刻技术

分类号：TN304.23(半导体技术)

在线出版日期：2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：10-10