期刊专题

FDMA905P/FDME905PT:MOSFET

引用
飞兆半导体公司为手机和其他超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件,满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。

MOSFET器件、飞兆半导体公司、设计人员、负载开关、散热性能、P沟道、小尺寸、手机

TN386.1(半导体技术)

2012-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

35-35

暂无封面信息
查看本期封面目录

世界电子元器件

1006-7604

11-3540/TN

2012,(4)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn