英特尔3-D三栅极晶体管设计获评科技创新奖

摘要：

《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3．D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3．D三栅极晶体管结构代表着从2．D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3．D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又—个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。

关键词：晶体管设计、科技创新奖、英特尔、栅极、3-D、《华尔街日报》、批量生产、摩尔定律

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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