SiB437EDKT：P沟道TrenchFET功率MOSFET

摘要：

VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。

关键词：功率MOSFET、P沟道、SiB437EDKT、电子元件

分类号：TN602(电子元件、组件)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：38-38