10.3969/j.issn.1006-7604.2010.12.028
IDT推出高精度全硅CMOS振荡器
@@ IDT(R)公司宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了100ppm总频率误差.
高精度、全硅、CMOS、频率误差、振荡器、温度、数方、公司、电压
TK2;TF1
2011-03-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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10.3969/j.issn.1006-7604.2010.12.028
高精度、全硅、CMOS、频率误差、振荡器、温度、数方、公司、电压
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2011-03-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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