SiA975DJ:P沟道功率MOSFET

摘要：

@@ Vishay推出新款双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET-SiA975DJ.新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm × 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装.

机标关键词：沟道、功率、双路、器件、导通电阻、增强型、面积、封装

分类号：TP2;TN7

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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