射频晶圆测试:半导体生产的紧急需要

摘要：

@@ 主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的:射频紧凑型模型的参数提取更适合将射频测量降到最少.如有必要,应该从支持仿真的标准I-V和C-V测量中提取参数.问题是对于极薄的电介质,由于高漏电流和非线性,标准I-V和C-V测量不可能直接提取COX参数,但是对于1～40GHz的高频电路建模和射频紧凑型模型验证来说,准确提取参数就变得很重要了.随着工业发展趋于65nm节点甚至更高,对于高性能低成本数字、射频、模拟混合信号装置来说,这种挑战也与日俱增.

机标关键词：射频测量、晶圆测试、半导体、提取参数、紧凑型、高性能低成本、建模与仿真、技术工作组、直接提取、信号装置、生产商、模型、工业发展、电路建模、参数提取、标准、漏电流、晶片级、非线性、电介质

分类号：F4(工业经济)

在线出版日期：2006-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：72-75