半导体激光器面面观

摘要：

@@ 量子阱 (QW)激光器
(1) QW激光器
随着金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术的逐渐成熟和完善,QW激光器很快从实验室研制进入商用化.QW器件是指采用QW材料作为有源区的光电子器件,材料生长一般是采用MOCVD外延技术.这种器件的特点就在于它的QW有源区具有准二维特性和量子尺寸效应.QW激光器与体材料激光器相比,具有阈值电流小、量子效率高、振荡频率高的特点,并可直接在较高的温度下工作.

机标关键词：半导体激光器、面面观、金属有机物化学汽相淀积、有源区、光电子器件、量子尺寸效应、材料生长、逐渐成熟、振荡频率、阈值电流、外延技术、量子效率、二维特性、体材料、实验室、商用化、量子阱、温度

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18