绝缘栅双极晶体管基础

摘要：

@@ IGBT结构及工作原理IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点.虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多.较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图.IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路.

机标关键词：绝缘栅双极晶体管、基础、成功率、结构及工作原理、高电流密度、纵剖面图、自然进化、终端设备、通道、双极器件、击穿电压、等效电路、导通损耗、原理图、驱动器、强电流、高电平、电阻率、转换、源漏

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36