ESD技术沿着IC内核的小型化方向压缩I/O尺寸

摘要：

@@ 自0.5μm CMOS工艺问世以来,I/O的尺寸基本上没有发生什么变化.目前,通过采用紧凑型的静电放电(ESD)设计技术,I/O可以与IC内核一道被压缩.

机标关键词：设计技术、内核、小型化、压缩、静电放电、紧凑型、工艺、尺寸

分类号：TN91

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：33-34