SiGe新技术与器件

摘要：

@@ 一前言
以CMOS结构为核心的集成电路技术,近二十年来按照摩尔定律发展,即缩小器件的特征尺寸,提高器件的性能,增大集成电路芯片的规模.目前工业硅集成电路的特征尺寸已达到100nm范围.进一步缩小尺寸,面临加工精度的限制,特征尺寸缩小带来的寄生效应(短沟效应、热电子效应等)的限制以及物理极限的限制.当特征尺寸达到100nm以下,这一尺寸已小于电子运动的相干长度,此时在单个器件中,电子的运动将遵从量子力学的原理.硅集成技术的发展已接近其物理极限,因此深入研究在纳米尺度下的各种量子力学效应和新的器件原理,开发新一代纳米量子器件,并以此构筑新的单元电路是信息科学持续高速发展的前提.

机标关键词：新技术、特征尺寸缩小、纳米量子器件、量子力学效应、集成电路芯片、集成电路技术、热电子效应、器件的性能、硅集成电路、电子运动、原理、信息科学、相干长度、物理、纳米尺度、摩尔定律、加工精度、寄生效应、集成技术、短沟效应

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2005-07-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：34-35