SiGe激发下一代宽带通信器件

摘要：

@@ 对新的宽带通信应用和设备有着很多期望.要达到这些预期,制造商必须开发新的集成电路工艺,继续将电路性能推向更高,并使每千兆位的总成本更低.宽带通信有其独特的特性,这些特性要求已将传统CMOS工艺推向其极限,并推动了寻找新材料的竞赛,这些新材料将为高频应用提供更佳的功能,但却保持可制造性、和成本效益高的大生产所需要的性能.几种有希望的新材料是砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和锗化硅(SiGe),它们能提供优于CMOS的性能.安森美半导体仔细评估各种材料的优点并选择SiGe用于其下一代宽带通信集成电路.它具有超低噪声性能、固态器件的速度和功率特性,方便多通道集成并广泛支持传统硅处理技术.

机标关键词：宽带通信、新材料、噪声性能、集成电路工艺、功率特性、应用、可制造性、固态器件、各种材料、电路性能、处理技术、总成本、制造商、效益高、砷化镓、千兆位、磷化铟、多通道、大生产、半导体

分类号：TN91

在线出版日期：2005-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：39-40