SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较

摘要：

SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率.针对1 kW PMSM,对功率器件分别采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析.设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiC MOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能.

关键词：碳化硅、永磁同步电动机、高开关速度、开关损耗

所属期刊栏目：18

分类号：TM341(电机)

资助基金：教育部博士点基金项目资助20123218120017;南京航空航天大学青年科技创新基金理工类项目资助NS2015039;江苏高校优势学科建设工程资助项目

在线出版日期：2015-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：128-135