10.3969/j.issn.2095-0020.2012.04.010
微波烧结制备ZnO压敏电阻
采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1V/mm,6.60μA,22.6;晶界势垒形状尖锐,势垒高度为0.88eV,耗尽层宽度为16nm。与常规绕结ZnO压敏电阻相比,微波烧结过程加热均匀,使试样的微观结构具有较好的一致性,提升了烧结质量,优化了ZnO压敏电阻的电学性能。
微波烧结、ZnO压敏电阻、电位梯度
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TM283(电工材料)
国家自然科学基金项目资助10804071;上海市高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金项目资助shdj007;上海市教育委员会科研创新项目资助12YZ185;上海电机学院科研启动经费项目资助11C409
2012-12-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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