驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计

摘要：

介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式.通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值.

关键词：自举电路、驱动芯片、高压浮动MOSFET

所属期刊栏目：12

分类号：TN86;TN712(无线电设备、电信设备)

在线出版日期：2009-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：190-193