烧结温度对BN/Si3 N4透波材料性能和显微结构的影响

摘要：

利用无压烧结技术,制备BN/Si3 N4透波材料；研究了1400℃、1500℃、1600℃和1680℃四个烧结温度对BN/Si3 N4透波材料致密化、弯曲强度、介电性能和显微结构的影响。结果表明：温度升高有利于β-Si3 N4晶相的生成,烧结温度为1600℃时,BN/Si3 N4透波材料中针状β-Si3 N4相和h-BN相并存；随着烧结温度的升高,气孔率单调降低,相对密度单调升高；弯曲强度、断裂韧性、介电常数和介电损耗逐渐增大；当烧结温度为1600℃时,相对密度为74.2%,弯曲强度和断裂韧性分别为281.3 MPa和2.74 MPa/m2,介电常数和介电损耗分别为5.01和0.0102,可以作为航空航天飞行器的候选材料。

关键词：BN/Si3 N4、烧结温度、力学性能、介电性能、显微结构

所属期刊栏目：29

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金项目51472146

在线出版日期：2016-04-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30